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[電機工程研究所] 期刊論文
1996
Theoretical study of the temperature dependence of 1.3-mu m AlGaInAs-InP multiple-quantum-well lasers
Pan,JW
;
Chyi,JI
[電機工程研究所] 期刊論文
1995
STUDY OF THE OPTICAL-PROPERTIES OF IN-0.52(ALXGA1-X)(0.48)AS BY VARIABLE-ANGLE SPECTROSCOPIC ELLIPSOMETRY
PAN,JW
;
SHIEH,JL
;
GAU,JH
;
CHYI,JI
;
LEE,JC
;
LING,KJ
[電機工程研究所] 期刊論文
1996
Strain relaxation and crystallographic tilt of compositional graded InxGa1-xAs and InxAl1-xAs (0<x<0.3) epilayers grown on GaAs substrates
Shieh,JL
;
Chyi,JI
;
Pan,JW
;
Lin,RM
[光電科學與工程學系] 期刊論文
2010
Single stage transmission type broadband solar concentrator
Wang,CM
;
Huang,HI
;
Pan,JW
;
Kuo,HZ
;
Hong,HF
;
Shin,HY
;
Chang,JY
[電機工程研究所] 期刊論文
1995
SCHOTTKY-BARRIER HEIGHTS OF INXAL1-XAS (0-LESS-THAN-OR-EQUAL-TO-X-LESS-THAN-OR-EQUAL-TO-0.35) EPILAYERS ON GAAS
CHYI,JI
;
SHIEH,JL
;
LIN,RJ
;
PAN,JW
;
LIN,RM
[電機工程研究所] 期刊論文
1996
Reduction of hole transit time in GaAs MSM photodetectors by p-type delta-doping
Chyi,JI
;
Chien,YJ
;
Yuang,RH
;
Shieh,JL
;
Pan,JW
;
Chen,JS
[環境工程研究所 ] 期刊論文
1997
Reduced impact ionization by using In-0.53(AlxGa1-x)(0.47)As (x=0.1,0.2) channel in InP HEMTs
Lai,LS
;
Chan,YJ
;
Pan,JW
;
Sheih,JL
;
Chyi,JI
[光電科學研究所] 期刊論文
2009
New collection systems for multi LED light engines
Tu,SH
;
Pan,JW
;
Wang,CM
;
Lee,YC
;
Chang,JY
[電機工程研究所] 期刊論文
1994
MOLECULAR-BEAM EPITAXIAL-GROWTH OF INXAL1-XAS ON GAAS
CHYI,JI
;
SHIEH,JL
;
LIN,RM
;
NEE,TE
;
PAN,JW
[電機工程研究所] 期刊論文
1996
Material properties of compositional graded InxGa1-xAs and InxAl1-xAs epilayers grown on GaAs substrates
Chyi,JI
;
Shieh,JL
;
Pan,JW
;
Lin,RM
[電機工程研究所] 期刊論文
1995
LOW-THRESHOLD INALGAAS/ALGAAS STRAINED-QUANTUM-WELL LASERS GROWN BY MOLECULAR-BEAM EPITAXY
CHYI,JI
;
GAU,JH
;
SHIEH,JL
;
PAN,JW
;
CHAN,YJ
;
HONG,JW
;
HUANG,MF
[光電科學研究所] 期刊論文
2009
Laser expander design of highly efficient Blu-ray disc pickup head
Sun,WS
;
Liu,KD
;
Pan,JW
;
Tien,CL
;
Hsieh,MS
[光電科學與工程學系] 期刊論文
2010
Integration of Non-Lambertian LED and Reflective Optical Element as Efficient Street Lamp
Pan,JW
;
Tu,SH
;
Sun,WS
;
Wang,CM
;
Chang,JY
[電機工程研究所] 期刊論文
1999
Improved temperature characteristics of 1.55 mu m InAlGaAs quantum well lasers with multiquantum barrier at p-cladding layer
Chyi,JI
;
Chen,MH
;
Pan,JW
;
Shih,TT
[電機工程研究所] 期刊論文
1994
HYDROGENATED AMORPHOUS-SILICON CARBIDE P-I-N THIN-FILM LIGHT-EMITTING-DIODES WITH BARRIER LAYERS INSERTED AT P-I INTERFACE
JEN,TS
;
PAN,JW
;
SHIN,NF
;
TSAY,WC
;
HONG,JW
;
CHANG,CY
[電機工程研究所] 期刊論文
1997
High thermal conductive passivation films on AlGaAs/GaAs heterojunction diodes and bipolar transistors
Hwang,HP
;
Cheng,YS
;
Shieh,JL
;
Pan,JW
;
Chyi,JI
[光電科學與工程學系] 期刊論文
2010
Functional imprinting structures on GaN-based light-emitting diodes for light pattern modulation and light extraction efficiency enhancement
Tu,SH
;
Wu,SY
;
Lee,YC
;
Pan,JW
;
Kuo,CH
;
Wang,CM
;
Chang,JY
[電機工程研究所] 期刊論文
1996
Enhanced carrier and optical confinement of quantum well lasers with graded multi-quantum barriers
Chyi,JI
;
Gau,JH
;
Wang,SK
;
Shieh,JL
;
Pan,JW
[電機工程研究所] 期刊論文
1996
DC and microwave characteristics of In-0.3(AlxGa1-x)(0.7)As/In0.3Ga0.7As heterojunction bipolar transistors grown on GaAs
Hwang,HP
;
Shieh,JL
;
Pan,JW
;
Chou,CC
;
Chyi,JI
[電機工程研究所] 期刊論文
1996
Characteristics of multistack multiquantum barrier and its application to graded-index separate confinement heterostructure lasers
Chyi,JI
;
Wang,SK
;
Gau,JH
;
Shieh,JL
;
Pan,JW
[電機工程研究所] 期刊論文
1994
CHARACTERISTICS OF IN0.3GA0.7AS/IN0.29AL0.71AS HETEROSTRUCTURES GROWN ON GAAS USING INALAS BUFFERS
CHYI,JI
;
SHIEH,JL
;
WU,CS
;
LIN,RM
;
PAN,JW
;
CHAN,YJ
;
LIN,CH
[電機工程研究所] 期刊論文
1994
BAND OFFSETS OF IN0.30GA0.70AS/IN0.29AL0.71AS HETEROJUNCTION GROWN ON GAAS SUBSTRATE
SHIEH,JL
;
CHYI,JI
;
LIN,RJ
;
LIN,RM
;
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