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    題名: 以砷化鎵為基材在1060nm波段側向接面超螢光白光二極體;GaAs-based transverse current injection light emitting diodes at the wavelength 1060nm
    作者: 陳岳毅;Yueh-Yi Chen
    貢獻者: 電機工程研究所
    關鍵詞: 側向接面;超螢光發光二極體;砷化鎵;superluminescent diode;GaAs;transverse junction
    日期: 2007-07-06
    上傳時間: 2009-09-22 12:07:33 (UTC+8)
    出版者: 國立中央大學圖書館
    摘要: 在本論文裡,我們比較了側向p-n接面與一般垂直p-n接面元件之特性,一般的垂直接面發光二極體,在多重量子井中會有載子分佈不均勻的問題,可藉由側向接面元件消除,側向接面元件展現了穩定且平坦的光譜頻寬,在大偏壓電流操作下,3-dB頻寬為165nm,中心波長在1060nm附近,其3-dB頻寬對擴散深度及加入的偏壓電流不敏感,且頻寬有飽和之現象,此說明載子均勻分佈之重要性。 In this thesis, we compared performance of our demonstrated transverse p-n junction devices to those traditional vertical ones. The nonuniform carrier distribution problem that occurs in the multiple quantum wells (MQWs) of traditional vertical p-n junction LEDs can be totally eliminated by introducing a transverse p-n junction with MQWs combining with different emission wavelengths. These devices exhibit stable, flattened, and invariant broadband optical spectrum with maximum 3-dB bandwidth of 165nm around the wavelength of 1.06μm under a large bias current operation. The bandwidths of devices are not sensitive to diffusion depth and bias currents, revealing the improvement of uniform distribution of carriers.
    顯示於類別:[電機工程研究所] 博碩士論文

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