THE BRANCH-CUT METHOD AND ITS APPLICATION TO PARTIALLY DEPLETED SOI MOSFET SIMULATION FOR KINK EFFECT DEFINITION

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题名:	THE BRANCH-CUT METHOD AND ITS APPLICATION TO PARTIALLY DEPLETED SOI MOSFET SIMULATION FOR KINK EFFECT DEFINITION
作者:	Ho,Chi-Hon;Pon,Jun-Yi;Tsai,Yao-Tsung
贡献者:	電機工程研究所
关键词:	SEMICONDUCTOR-DEVICE SIMULATION;INCOMPLETE LU METHOD;TRANSISTORS;BREAKDOWN
日期:	2008
上传时间:	2010-07-06 18:14:15 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	In the partially depleted (PD) SOI NMOSFET device, the floating body effect emerges due to the accumulation of excess holes in the neutral Substrate region. The floating, body effect Will cause the Current curve of kink effect ill the saturation region. I
關聯:	JOURNAL OF THE CHINESE INSTITUTE OF ENGINEERS
显示于类别:	[電機工程研究所] 期刊論文

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