中大機構典藏-NCU Institutional Repository-提供博碩士論文、考古題、期刊論文、研究計畫等下載:Item 987654321/32033
English  |  正體中文  |  简体中文  |  全文笔数/总笔数 : 70548/70548 (100%)
造访人次 : 23134952      在线人数 : 322
RC Version 7.0 © Powered By DSPACE, MIT. Enhanced by NTU Library IR team.
搜寻范围 查询小技巧:
  • 您可在西文检索词汇前后加上"双引号",以获取较精准的检索结果
  • 若欲以作者姓名搜寻,建议至进阶搜寻限定作者字段,可获得较完整数据
  • 进阶搜寻


    jsp.display-item.identifier=請使用永久網址來引用或連結此文件: http://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/32033


    题名: Effects of leakage current and Schottky-like ohmic contact on the characterization of Al0.17Ga0.83N/GaN HBTs
    作者: Hsueh,Kuang-Po;Hsin,Yue-Ming;Sheu,Jinn-Kong;Lai,Wei-Chih;Tun,Chun-Ju;Hsu,Chia-Hung;Lin,Bi-Hsuan
    贡献者: 電機工程研究所
    关键词: HETEROJUNCTION BIPOLAR-TRANSISTORS;CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION;P-INGAN;GAN;EMITTER;BASE;TEMPERATURE;LAYER
    日期: 2007
    上传时间: 2010-07-06 18:17:00 (UTC+8)
    出版者: 中央大學
    摘要: This work investigates the effect of non-ideal material and contact conditions on the characterization of Al0.17Ga0.83N/GaN heterojunction bipolar transistors (HBTs) by comparing numerical simulations with measured device characteristics. Al0.17Ga0.83N/Ga
    關聯: SOLID-STATE ELECTRONICS
    显示于类别:[電機工程研究所] 期刊論文

    文件中的档案:

    档案 描述 大小格式浏览次数
    index.html0KbHTML316检视/开启


    在NCUIR中所有的数据项都受到原著作权保护.

    社群 sharing

    ::: Copyright National Central University. | 國立中央大學圖書館版權所有 | 收藏本站 | 設為首頁 | 最佳瀏覽畫面: 1024*768 | 建站日期:8-24-2009 :::
    DSpace Software Copyright © 2002-2004  MIT &  Hewlett-Packard  /   Enhanced by   NTU Library IR team Copyright ©   - 回馈  - 隱私權政策聲明