1.32 mu m InAs/GaAs quantum-dot resonant-cavity light-emitting diodes grown by metalorganic chemical vapor deposition

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題名:	1.32 mu m InAs/GaAs quantum-dot resonant-cavity light-emitting diodes grown by metalorganic chemical vapor deposition
作者:	Huang,Kun-Fu;Lee,Feng-Ming;Hu,Chih-Wei;Peng,Te-Chin;Wu,Meng-Chyi;Lin,Chia-Chien;Hsieh,Tung-Po;Chyi,Jen-Inn
貢獻者:	電機工程研究所
日期:	2006
上傳時間:	2010-07-06 18:19:35 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	The first demonstration of InAs/GaAs quantum-dot (QD) resonant-cavity light-emitting diode (RCLED) operating at 1.32 mu m at room temperature is reported. A single-layer InAs QDs inserted in GaAs matrix as the active medium was grown by metalorganic chemi
關聯:	JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B
顯示於類別:	[電機工程研究所] 期刊論文

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