Optical properties of InAs quantum dots with InAlAs/InGaAs composite matrix

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題名:	Optical properties of InAs quantum dots with InAlAs/InGaAs composite matrix
作者:	Liu,WS;Chyi,JI
貢獻者:	電機工程研究所
關鍵詞:	1.3 MU-M;GAAS;SEPARATION;EMISSION;ENERGY;INALAS;8-BAND;LASER;LAYER
日期:	2005
上傳時間:	2010-07-06 18:24:23 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	InAs quantum dots (QDs) in various matrices, such as InAlAs, InGaAs, InAlAs/InGaAs, and InGaAs/InAlAs, are prepared to clarify how the overgrown layers affect their optical properties. It is shown that strain reduction mechanism dominates the emission wav
關聯:	JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
顯示於類別:	[電機工程研究所] 期刊論文

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