Piezoelectric polarization-induced two dimensional electron gases in AlGaN/GaN heteroepitaxial structures: Application for micro-pressure sensors

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題名:	Piezoelectric polarization-induced two dimensional electron gases in AlGaN/GaN heteroepitaxial structures: Application for micro-pressure sensors
作者:	Chu,SNG;Ren,F;Pearton,SJ;Kang,BS;Kim,S;Gila,BP;Abernathy,CR;Chyi,JI;Johnson,WJ;Lin,J
貢獻者:	電機工程研究所
關鍵詞:	GA-FACE;HETEROSTRUCTURES;CHARGE;STRAIN;CONDUCTIVITY;TRANSISTORS;SCATTERING;FIELD
日期:	2005
上傳時間:	2010-07-06 18:24:38 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	The wurtzite group-III nitrides exhibit piezoelectric polarization along their c-axis. Differential piezoelectric and spontaneous polarizations in strained AlGaN/GaN heterostructure grown on [000 1] sapphire substrates induce two-dimensional electron gas
關聯:	MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING A-STRUCTURAL MATERIALS PROPERTIES MICROSTRUCTURE AND PROCESSING
顯示於類別:	[電機工程研究所] 期刊論文

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