Power performance enhancement of metamorphic In0.3Al0.7As/In0.45Ga0.55As HEMTs using pseudomorphic channel design

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题名:	Power performance enhancement of metamorphic In0.3Al0.7As/In0.45Ga0.55As HEMTs using pseudomorphic channel design
作者:	Lin,CK;Wu,JC;Chan,YJ;Wu,JS;Pan,YC;Tsai,CC;Lai,JT
贡献者:	電機工程研究所
日期:	2005
上传时间:	2010-07-06 18:24:40 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	In this study, we inserted an In0.45Ga0.55As pseudomorphic channel inside the wide bandgap In0.3Al0.7As layer on GaAs substrates to improve carrier confinement and device microwave power performance, as compared with the In0.3Ga0.7As lattice matched ones.
關聯:	COMPOUND SEMICONDUCTORS 2004, PROCEEDINGS
显示于类别:	[電機工程研究所] 期刊論文

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