Transient pulsed analysis on GaNHEMTs at cryogenic temperatures

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题名:	Transient pulsed analysis on GaNHEMTs at cryogenic temperatures
作者:	Lin,CH;Wang,WK;Lin,PC;Lin,CK;Chang,YJ;Chan,YJ
贡献者:	電機工程研究所
关键词:	IMPACT IONIZATION;INALAS/INGAAS HEMTS
日期:	2005
上传时间:	2010-07-06 18:25:08 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	A pulsed measurement of AlGaN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs) current-voltage (I-V) output characteristics from 100 to 300 K temperatures has been systematically investigated, and a significant kink is clearly observed, which is more severe
關聯:	IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS
显示于类别:	[電機工程研究所] 期刊論文

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