Nanostructures and carrier localization behaviors of green-luminescence InGaN/GaN quantum-well structures of various silicon-doping conditions

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题名:	Nanostructures and carrier localization behaviors of green-luminescence InGaN/GaN quantum-well structures of various silicon-doping conditions
作者:	Cheng,YC;Lin,EC;Wu,CM;Yang,CC;Yang,JR;Rosenauer,A;Ma,KJ;Shi,SC;Chen,LC;Pan,CC;Chyi,JI
贡献者:	電機工程研究所
关键词:	OPTICAL-PROPERTIES;SI;BARRIERS;DYNAMICS
日期:	2004
上传时间:	2010-07-06 18:27:07 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	The results of photoluminescence (PL), detection-energy-dependent photoluminescence excitation (DEDPLE), excitation-energy-dependent photoluminescence (EEDPL), and strain state analysis (SSA) of three InGaN/GaN quantum-well (QW) samples with silicon dopin
關聯:	APPLIED PHYSICS LETTERS
显示于类别:	[電機工程研究所] 期刊論文

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