Optical and electronic characteristics of germanium quantum dots formed by selective oxidation of SiGe/Si-on-insulator

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題名:	Optical and electronic characteristics of germanium quantum dots formed by selective oxidation of SiGe/Si-on-insulator
作者:	Li,PW;Kuo,DMT;Liao,WM;Tsai,MJ
貢獻者:	電機工程研究所
關鍵詞:	INFRARED PHOTOLUMINESCENCE;VISIBLE PHOTOLUMINESCENCE;ROOM-TEMPERATURE;COULOMB-BLOCKADE;GE NANOCRYSTALS;SI NANOCRYSTALS;CONFINEMENT;LUMINESCENCE;SPECTROSCOPY;MECHANISM
日期:	2004
上傳時間:	2010-07-06 18:27:22 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	Germanium quantum dots embedded in a SiO2 matrix fabricated by selective oxidation of SiGe-on-insulator structure were examined by high-resolution, transmission electron microscopy, cathodoluminescence spectroscopy, and spectroscopic ellipsometry. The dot
關聯:	JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS
顯示於類別:	[電機工程研究所] 期刊論文

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