Electrical and electroluminescent properties of GaN light emitting diodes with the contact layer implanted with Mn

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題名:	Electrical and electroluminescent properties of GaN light emitting diodes with the contact layer implanted with Mn
作者:	Polyakov,AY;Smirnov,NB;Govorkov,AV;Kim,J;Ren,F;Overberg,ME;Thaler,GT;Abernathy,CR;Pearton,SJ;Lee,CM;Chyi,JI;Wilson,RG;Zavada,JM
貢獻者:	電機工程研究所
關鍵詞:	MOLECULAR-BEAM EPITAXY;ROOM-TEMPERATURE;SPIN INJECTION;SEMICONDUCTOR HETEROSTRUCTURE;PERSISTENT PHOTOCONDUCTIVITY;ION-IMPLANTATION;N-GAN;FILMS;FERROMAGNETISM;RECOMBINATION
日期:	2003
上傳時間:	2010-07-06 18:29:08 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	Electrical and luminescent properties of GaN/InGaN multiquantum well light emitting diodes (MQW LEDs) with the top p-GaN layer implanted with 3 x 10(16) cm(-2) Mn ions for potential spin-polarized emission are reported. The forward current in the Mn-impla
關聯:	SOLID-STATE ELECTRONICS
顯示於類別:	[電機工程研究所] 期刊論文

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