中大機構典藏-NCU Institutional Repository-提供博碩士論文、考古題、期刊論文、研究計畫等下載:Item 987654321/32482
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    題名: Formation of atomic-scale germanium quantum dots by selective oxidation of SiGe/Si-on-insulator
    作者: Li,PW;Liao,WM;Lin,SW;Chen,PS;Lu,SC;Tsai,MJ
    貢獻者: 電機工程研究所
    關鍵詞: SINGLE-ELECTRON TRANSISTORS;COULOMB-BLOCKADE;FABRICATION
    日期: 2003
    上傳時間: 2010-07-06 18:29:18 (UTC+8)
    出版者: 中央大學
    摘要: A complementary metal-oxide-semiconductor-compatible method is proposed to form atomic-scale germanium (Ge) quantum dots (<10 nm) for application in single-electron devices or optical devices. The formation of Ge quantum dots is realized by the Ge atoms'
    關聯: APPLIED PHYSICS LETTERS
    顯示於類別:[電機工程研究所] 期刊論文

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