Formation of atomic-scale germanium quantum dots by selective oxidation of SiGe/Si-on-insulator

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題名:	Formation of atomic-scale germanium quantum dots by selective oxidation of SiGe/Si-on-insulator
作者:	Li,PW;Liao,WM;Lin,SW;Chen,PS;Lu,SC;Tsai,MJ
貢獻者:	電機工程研究所
關鍵詞:	SINGLE-ELECTRON TRANSISTORS;COULOMB-BLOCKADE;FABRICATION
日期:	2003
上傳時間:	2010-07-06 18:29:18 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	A complementary metal-oxide-semiconductor-compatible method is proposed to form atomic-scale germanium (Ge) quantum dots (<10 nm) for application in single-electron devices or optical devices. The formation of Ge quantum dots is realized by the Ge atoms'
關聯:	APPLIED PHYSICS LETTERS
顯示於類別:	[電機工程研究所] 期刊論文

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