Type-II Zn1-xMnxSe/ZnSe1-yTey quantum wells

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題名:	Type-II Zn1-xMnxSe/ZnSe1-yTey quantum wells
作者:	Yang,CS;Cheng,CC;Kuo,MC;Tseng,PY;Shen,JL;Lee,J;Chou,WC;Jeng,S;Lai,CY;Hsu,TM;Chyi,JI
貢獻者:	電機工程研究所
關鍵詞:	MOLECULAR-BEAM EPITAXY;SPIN INJECTION;COMPUTATION;HETEROSTRUCTURE
日期:	2003
上傳時間:	2010-07-06 18:30:10 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	Zn1-xMnxSe/ZnSe1-yTey (x = 0.03, y = 0.08) multiple-quantum-well structures were grown on GaAs substrates by molecular-beam epitaxy. Strong photoluminescence associated with iso-electronic Te traps was observed. A type-II band alignment was proposed for t
關聯:	THIN SOLID FILMS
顯示於類別:	[電機工程研究所] 期刊論文

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