Verification of 1D BJT numerical simulation and its application to mixed-level device and circuit simulation

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题名:	Verification of 1D BJT numerical simulation and its application to mixed-level device and circuit simulation
作者:	Chang,CC;Dai,JF;Tsai,YT
贡献者:	電機工程研究所
关键词:	INCOMPLETE LU METHOD
日期:	2003
上传时间:	2010-07-06 18:30:13 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	In this paper, we study on a 1D BJT model, which saves the memory size and computation time and verify that the characteristic of 1D BJT model is in good agreement with 2D BJT model. We use the equivalent circuit approach to simulate the BJT device. Poiss
關聯:	INTERNATIONAL JOURNAL OF NUMERICAL MODELLING-ELECTRONIC NETWORKS DEVICES AND FIELDS
显示于类别:	[電機工程研究所] 期刊論文

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