Verification of 1D BJT numerical simulation and its application to mixed-level device and circuit simulation

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題名:	Verification of 1D BJT numerical simulation and its application to mixed-level device and circuit simulation
作者:	Chang,CC;Dai,JF;Tsai,YT
貢獻者:	電機工程研究所
關鍵詞:	INCOMPLETE LU METHOD
日期:	2003
上傳時間:	2010-07-06 18:30:13 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	In this paper, we study on a 1D BJT model, which saves the memory size and computation time and verify that the characteristic of 1D BJT model is in good agreement with 2D BJT model. We use the equivalent circuit approach to simulate the BJT device. Poiss
關聯:	INTERNATIONAL JOURNAL OF NUMERICAL MODELLING-ELECTRONIC NETWORKS DEVICES AND FIELDS
顯示於類別:	[電機工程研究所] 期刊論文

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