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    题名: Improving contact performances of Al(Al/Pd) and i-a-SiGe : H interface using an additional very thin Sb layer
    作者: Lin,CS;Yeh,RH;Li,IX;Hong,JW
    贡献者: 電機工程研究所
    关键词: SCHOTTKY;TRANSISTORS;MOSFETS
    日期: 2002
    上传时间: 2010-07-06 18:31:34 (UTC+8)
    出版者: 中央大學
    摘要: A very thin Sb layer, which is an n-type dopant for i-a-SiGe:H and was inserted between the Al or Al/Pd and i-a-SiGe:H layers, was successfully employed to reduce the specific contact resistance (R) of these two interfaces. The R of the Al(Al/Pd) and i-a-
    關聯: ELECTRONICS LETTERS
    显示于类别:[電機工程研究所] 期刊論文

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