InAs/GaAs quantum dot lasers with InGaP cladding layer grown by solid-source molecular-beam epitaxy

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题名:	InAs/GaAs quantum dot lasers with InGaP cladding layer grown by solid-source molecular-beam epitaxy
作者:	Yeh,NT;Liu,WS;Chen,SH;Chiu,PC;Chyi,JI
贡献者:	電機工程研究所
关键词:	CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION;ROOM-TEMPERATURE;THRESHOLD
日期:	2002
上传时间:	2010-07-06 18:31:36 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	This letter presents the lasing properties of InAs/GaAs quantum dot lasers with InGaP cladding layers grown by solid-source molecular-beam epitaxy. These Al-free lasers exhibit a threshold current density of 138 A/cm(2), an internal loss of 1.35 cm(-1), a
關聯:	APPLIED PHYSICS LETTERS
显示于类别:	[電機工程研究所] 期刊論文

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