中大機構典藏-NCU Institutional Repository-提供博碩士論文、考古題、期刊論文、研究計畫等下載:Item 987654321/32551
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    题名: Investigation of InAs/GaAs quantum-dot infrared photodetector with In0.5Ga0.5P dark current blocking layer
    作者: Jiang,L;Li,SS;Yeh,NT;Chyi,JI;Tidrow,MZ
    贡献者: 電機工程研究所
    日期: 2002
    上传时间: 2010-07-06 18:31:48 (UTC+8)
    出版者: 中央大學
    摘要: A novel InAs/GaAs quantum-dot infrared photodetector with an In0.5Ga0.5P dark current blocking layer for long-wavelength infrared (LWIR) detection has been developed in this work. Very low dark current densities were obtained at V-b = -0.5 V (10(-10) A/cm
    關聯: ELECTRONICS LETTERS
    显示于类别:[電機工程研究所] 期刊論文

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