A comparative study of the passivation films on AlGaAs/GaAs heterojunction diodes and bipolar transistors

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題名:	A comparative study of the passivation films on AlGaAs/GaAs heterojunction diodes and bipolar transistors
作者:	Hwang,HP;Cheng,YS;Shieh,JL;Chyi,JI
貢獻者:	電機工程研究所
關鍵詞:	SURFACE;RECOMBINATION;TEMPERATURE
日期:	2001
上傳時間:	2010-07-06 18:32:36 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	A series of Si-based thin films, including amorphous Si, SiC, as well as the conventionalSiO(infinity) and SINinfinity, was investigated in terms of the electrical characteristics of GaAs/Al0.3Ga0.7As heterostructure diodes and heterojunction bipolar tran
關聯:	IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES
顯示於類別:	[電機工程研究所] 期刊論文

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