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    题名: Interdiffusion of In and Ga in InGaN/GaN multiple quantum wells
    作者: Chuo,CC;Lee,CM;Chyi,JI
    贡献者: 電機工程研究所
    关键词: CONTINUOUS-WAVE OPERATION;LASER-DIODES;VACANCIES
    日期: 2001
    上传时间: 2010-07-06 18:34:10 (UTC+8)
    出版者: 中央大學
    摘要: Thermal stability of InxGa1-xN/GaN multiple quantum wells with InN mole fraction of similar to0.23 and similar to0.30 was investigated by postgrowth thermal annealing. Low temperature photoluminescence spectroscopy was employed to determine the temperatur
    關聯: APPLIED PHYSICS LETTERS
    显示于类别:[電機工程研究所] 期刊論文

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