Piezoelectric field-induced quantum-confined Stark effect in InGaN/GaN multiple quantum wells

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題名:	Piezoelectric field-induced quantum-confined Stark effect in InGaN/GaN multiple quantum wells
作者:	Lai,CY;Hsu,TM;Chang,WH;Tseng,KU;Lee,CM;Chuo,CC;Chyi,JI
貢獻者:	電機工程研究所
日期:	2001
上傳時間:	2010-07-06 18:34:26 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	In this paper, we present an experimental evidence for the piezoelectric field-induced quantum-confined Stark effect (QCSE) on InGaN/GaN quantum wells. The optical transitions of In0.23Ga0.77N/GaN p-i-n MQWs were studied by using modulation spectroscopy (
關聯:	PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH
顯示於類別:	[電機工程研究所] 期刊論文

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