Polarized-photoreflectance characterization of an InGaP/InGaAsN/GaAs NpN double-heterojunction bipolar transistor structure

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題名:	Polarized-photoreflectance characterization of an InGaP/InGaAsN/GaAs NpN double-heterojunction bipolar transistor structure
作者:	Lin,CJ;Huang,YS;Li,NY;Li,PW;Tiong,KK
貢獻者:	電機工程研究所
關鍵詞:	BAND-GAP REDUCTION;GAINP/GAAS HETEROJUNCTION;LASER-DIODES;GAAS;SEMICONDUCTORS;SPECTROSCOPY;OFFSETS;GAINNAS;GAINP2;FIELDS
日期:	2001
上傳時間:	2010-07-06 18:34:28 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	We have characterized an InGaP/InGaAsN/GaAs NpN double-heterojunction bipolar transistor structure using polarized photoreflectance (PR) spectroscopy. The ordering parameter of the InGaP is deduced from the polarization {[110] and [1 (1) over bar0]} depen
關聯:	JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
顯示於類別:	[電機工程研究所] 期刊論文

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