Polarized-photoreflectance characterization of an InGaP/InGaAsN/GaAs NpN double-heterojunction bipolar transistor structure

NCU Institutional Repository > 資訊電機學院 > 電機工程研究所 > 期刊論文 > Item 987654321/32625

請使用永久網址來引用或連結此文件: http://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/32625

題名:	Polarized-photoreflectance characterization of an InGaP/InGaAsN/GaAs NpN double-heterojunction bipolar transistor structure
作者:	Lin,CJ;Huang,YS;Li,NY;Li,PW;Tiong,KK
貢獻者:	電機工程研究所
關鍵詞:	BAND-GAP REDUCTION;GAINP/GAAS HETEROJUNCTION;LASER-DIODES;GAAS;SEMICONDUCTORS;SPECTROSCOPY;OFFSETS;GAINNAS;GAINP2;FIELDS
日期:	2001
上傳時間:	2010-07-06 18:34:28 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	We have characterized an InGaP/InGaAsN/GaAs NpN double-heterojunction bipolar transistor structure using polarized photoreflectance (PR) spectroscopy. The ordering parameter of the InGaP is deduced from the polarization {[110] and [1 (1) over bar0]} depen
關聯:	JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
顯示於類別:	[電機工程研究所] 期刊論文

文件中的檔案:

檔案	描述	大小	格式	瀏覽次數
index.html		0Kb	HTML	375	檢視/開啟

在NCUIR中所有的資料項目都受到原著作權保護.

社群 sharing