Study of carrier transport by pentacene thin-film transistors at high temperatures

NCU Institutional Repository > 資訊電機學院 > 電機工程研究所 > 期刊論文 > Item 987654321/32730

請使用永久網址來引用或連結此文件: http://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/32730

題名:	Study of carrier transport by pentacene thin-film transistors at high temperatures
作者:	Lo,PY;Pei,ZW;Hwang,JJ;Tseng,HY;Chan,YJ
貢獻者:	電機工程研究所
關鍵詞:	FIELD-EFFECT TRANSISTORS;SINGLE-CRYSTAL;FABRICATION;CIRCUITS
日期:	2006
上傳時間:	2010-07-07 09:56:34 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	In this study, the interface properties of pentacene organic thin-film transistors (OTFTs) were analyzed at elevated temperatures. The pentacene layers were deposited on the poly(alpha-methyl styrene) (PMS)-treated SiO2 dielectric layers. The threshold vo
關聯:	JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS
顯示於類別:	[電機工程研究所] 期刊論文

文件中的檔案:

檔案	描述	大小	格式	瀏覽次數
index.html		0Kb	HTML	888	檢視/開啟

在NCUIR中所有的資料項目都受到原著作權保護.

社群 sharing