以事件相關腦電位探討錯誤記憶的形成以及提取歷程; Event-Related Potential Studies of the Formation and Retrieval of Erroneous Memory

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題名:	以事件相關腦電位探討錯誤記憶的形成以及提取歷程;Event-Related Potential Studies of the Formation and Retrieval of Erroneous Memory
作者:	鄭仕坤
貢獻者:	認知與神經科學研究所
關鍵詞:	心理學
日期:	2006-07-01
上傳時間:	2010-12-06 16:19:22 (UTC+8)
出版者:	行政院國家科學委員會
摘要:	大部分人都相信自己的記憶的正確性並認為記憶是所有經歷事件的真實記錄。然而心理學的記憶實驗告訴我們，記憶的形成與提取是一個建構與再建構的歷程。在這些建構與在建構的過中有許多不同的因素牽涉其中，影響人類記憶的表現，而其間的交互作用可能引發記憶扭曲：對於所經歷事件的記憶與實際事件發生過程可以有很大的歧異。心理學家已經在實驗室中發展出許多不同的程序來引發及研究記憶扭曲的現象，而這些記憶扭曲的研究提供了一個不同的角度探討人類的記憶系統。本研究計畫共提出十一個實驗，藉由Cheng & Rugg (2004) 所發展出來的實驗典範探討鮮明記憶(recollection) 、熟悉感(familiarity) 以及提取後監控歷程 (post-retrieval monitoring processes)這些人類記憶相關的認知歷程在錯誤記憶形成與提取中所扮演之角色。實驗者將利用事件相相關腦電位以及Remember/Know 程序檢視不同因素對於鮮明錯誤記憶的內在機制。此外，藉由修正Cheng & Rugg (2004) 的程序，本計畫將能紀錄錯誤記憶形成時之事件相關腦電位藉以探討一般性訊息(gist information)以及詳實訊息(verbatim information)在登錄(encoding)階段的神經機制。研究期間：9408 ~ 9507
關聯:	財團法人國家實驗研究院科技政策研究與資訊中心
顯示於類別:	[認知與神經科學研究所 ] 研究計畫

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