本篇論文是研究低溫成長氮化鎵之材料特性：包括以霍爾量測法檢視其電性；以光激發光及吸收光譜檢視其光性： 以X光繞射法檢視其晶體結構。並以原子力顯微鏡量測的結果作其在電性、光性及內部結構之佐證。另外並以高溫爐或是快速熱退火改變試片之熱處理條件，或以離子佈植的方式改變試片原有之特性。 This issue is discovered the material characterizations of low temperature growth GaN films:including electricity,optical properties,structure.
