本研究為在重摻 本研究為在重摻 本研究為在重摻 P型矽晶圓上進行 型矽晶圓上進行 型矽晶圓上進行 深冷電化學蝕刻 深冷電化學蝕刻 深冷電化學蝕刻 ，輔以雷射光 ，輔以雷射光 照， 觀察 低溫 狀態對 其變化 影響。 因矽晶片載子遷移率 矽晶片載子遷移率 矽晶片載子遷移率 在室溫 約為 120 (cm2/V•s)、-20 ℃時為 108(108(108(108(cm2/V•s)，隨著溫度下降遷移率也之 隨著溫度下降遷移率也之 隨著溫度下降遷移率也之 隨著溫度下降遷移率也之 減少。 因此 本實驗 設計 於室溫 於室溫 (25 ℃)、-20 ℃(乾冰 )環境下進行 環境下進行 ，使 用掃描式電子顯微鏡 用掃描式電子顯微鏡 用掃描式電子顯微鏡 用掃描式電子顯微鏡 (SEM)與穿透式電子顯微鏡 與穿透式電子顯微鏡 與穿透式電子顯微鏡 (TEM) 觀察其多孔 觀察其多孔 矽結構 及晶格變化 晶格變化 ，並使用光激發譜儀 並使用光激發譜儀 並使用光激發譜儀 並使用光激發譜儀 (PL)分析其特性。經實驗 分析其特性。經實驗 分析其特性。經實驗 發現溫度越低其奈米晶粒小， 發現溫度越低其奈米晶粒小， 發現溫度越低其奈米晶粒小， 發現溫度越低其奈米晶粒小， 發現溫度越低其奈米晶粒小， 電化學蝕刻後光譜 電化學蝕刻後光譜 電化學蝕刻後光譜 電化學蝕刻後光譜 也有藍移的現象產 也有藍移的現象產 也有藍移的現象產 也有藍移的現象產生;In this study, we perform cryogenic laser-assisted electrochemical etching on heavily doped p-type silicon wafer, and observe the influence of low temperature. Since the carrier mobility of silicon wafer is about 120(cm2/V•s) at room temperature, 108(cm2/V•s) at -20℃, the mobility reduces while temperature decrease. Therefore, the etching experiments are performing at room temperature(25℃),-20℃(dry ice), and using scanning electron microscope(SEM), transmission electron microscope(TEM) and photoluminescence(PL) to observe the structure and characteristics of porous silicon. We find that the lower the temperature, the smaller the nanocrystals grain, and the phenomenon of blue-shift is shown in the result of PL.
