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    題名: 氧化鋁基板上微波功率放大器之研製
    作者: 何建廷;Jian-Ting He
    貢獻者: 電機工程研究所
    關鍵詞: 微波;放大器;microwave;amplifier
    日期: 2000-06-14
    上傳時間: 2009-09-22 11:38:30 (UTC+8)
    出版者: 國立中央大學圖書館
    摘要: 本論文主要內容在於微波功率放大器的設計、製作與量測。首先,著重於電路主動元件金半場效應電晶體( MESFET )的直流及高頻參數的量測與等效電路模型之建立,以裨提供應用電路之設計。在被動元件方面,我們利用於氧化鋁基板上製作的高品質因數薄膜被動元件,可以有效降低應用電路之能量損耗,此乃導因於氧化鋁基板高阻值的特性。 運用已建立之主被動元件模型,我們設計了1.9 GHz單級MESFET功率放大器,製作完成後,量測特性結果與模擬值相當吻合,驗證了元件模型的準確度。 最後我們以此為基礎,以MESFET為主動元件,結合平衡器與放大器設計並且製作了1.9 GHz平衡型放大器,輸出功率比單級MESFET功率放大器提昇了一倍。另外,主動元件與薄膜被動元件以接線(wire-bonding)來連接,克服單晶微波積體電路中無法同時達到主、被動元件特性最佳化的問題。良好的增益與特性表現更進一步地顯示MIC電路設計、製作流程的可行性。 此外,在功率放大器的量測方面,除了輸出功率、功率增益、第三階交互調變截斷點( third-order intermodulation intercept point )的量測外,我們亦針對電路做GMSK與π/4 DQPSK的調變訊號量測,觀察其向量誤差百分比( error vector magnitude )之趨勢與特性。
    顯示於類別:[電機工程研究所] 博碩士論文

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