氧化鋁基板上微波功率放大器之研製

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題名:	氧化鋁基板上微波功率放大器之研製
作者:	何建廷;Jian-Ting He
貢獻者:	電機工程研究所
關鍵詞:	微波;放大器;microwave;amplifier
日期:	2000-06-14
上傳時間:	2009-09-22 11:38:30 (UTC+8)
出版者:	國立中央大學圖書館
摘要:	本論文主要內容在於微波功率放大器的設計、製作與量測。首先，著重於電路主動元件金半場效應電晶體( MESFET )的直流及高頻參數的量測與等效電路模型之建立，以裨提供應用電路之設計。在被動元件方面，我們利用於氧化鋁基板上製作的高品質因數薄膜被動元件，可以有效降低應用電路之能量損耗，此乃導因於氧化鋁基板高阻值的特性。運用已建立之主被動元件模型，我們設計了1.9 GHz單級MESFET功率放大器，製作完成後，量測特性結果與模擬值相當吻合，驗證了元件模型的準確度。最後我們以此為基礎，以MESFET為主動元件，結合平衡器與放大器設計並且製作了1.9 GHz平衡型放大器，輸出功率比單級MESFET功率放大器提昇了一倍。另外，主動元件與薄膜被動元件以接線(wire-bonding)來連接，克服單晶微波積體電路中無法同時達到主、被動元件特性最佳化的問題。良好的增益與特性表現更進一步地顯示MIC電路設計、製作流程的可行性。此外，在功率放大器的量測方面，除了輸出功率、功率增益、第三階交互調變截斷點( third-order intermodulation intercept point )的量測外，我們亦針對電路做GMSK與π/4 DQPSK的調變訊號量測，觀察其向量誤差百分比( error vector magnitude )之趨勢與特性。
顯示於類別:	[電機工程研究所] 博碩士論文

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