離子佈植砷化鎵金屬半導體場效電晶體之研究

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題名:	離子佈植砷化鎵金屬半導體場效電晶體之研究
作者:	許嘉仁;Yan-Len Hsu
貢獻者:	電機工程研究所
關鍵詞:	離子佈植;砷化鎵金屬半導體場效電晶體;Ion-implantation;MESFET
日期:	2000-06-15
上傳時間:	2009-09-22 11:38:52 (UTC+8)
出版者:	國立中央大學圖書館
摘要:	本論文主要是研究離子佈植砷化鎵金屬半導體場效電晶體(MESFET)。文中簡單介紹電晶體、離子佈植和相關量測之原理，並詳述各個製程步驟之技術，接著，探討元件的直流、高頻特性與特殊氧植入之元件。在元件之直流特性方面，1.0 mm ’ 50 mm之元件，其汲極飽和電流為215 mA/mm，夾止電壓為 -1.9 V；元件最大轉移電導gm為152 mS/mm。在高頻特性方面，元件偏壓在VDS = 2.0 V，VGS = 0 V時，量測求得電流增益截止頻率(ft)為8 GHz，功率增益截止頻率(fmax)為25 GHz。另外，為了改善元件之崩潰特性與鈍化層的處理，針對表面植入氧之元件進行研究。經由實驗證明，氧的植入確實能有效改善元件之崩潰特性，更可以省略表面鈍化層的製程，但只對於元件之直流和高頻特性帶來了少許的傷害。
顯示於類別:	[電機工程研究所] 博碩士論文

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