中大機構典藏-NCU Institutional Repository-提供博碩士論文、考古題、期刊論文、研究計畫等下載:Item 987654321/9732
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    题名: 應用於單電子電晶體之矽/鍺量子點研製;Study of Forming Si/Ge Quantum dots for Single-Electron Devices
    作者: 林上偉;Shang-Wei Lin
    贡献者: 電機工程研究所
    关键词: 小線寬間隙壁自我對準技術;庫倫震盪效應;庫倫阻斷效應;矽鍺;量子點;單電子電晶體;Single-Electron Transistor(SET);Quantum dot;Coulomb blockade Effect;Narrow spacer self-alignment(NSSA));Coulomb Oscillation Effcet
    日期: 2004-07-09
    上传时间: 2009-09-22 11:54:44 (UTC+8)
    出版者: 國立中央大學圖書館
    摘要: 本論文之研究重點,在於發展可應用於矽基材單電子電晶體之量子點(線)的研製。有鑑於其他相關研究單位所發展的量子點製程,大都未考量製程中的穩定性、再現性、成本考量以及與現今半導體製程的相容性;故本論文將重點放在可相容於目前傳統的LSI製程,以及盡量提高製程的穩定性與再現性,並且降低製程的成本,發展出數種在傳統矽基材下可行的量子點(線)製作方式。 In this thesis, the technique of forming Si & Ge quantum dots for Single-electron devices will be proposed. The advantages of the technique are well controllable, reproducible and compatible with traditional CMOS process.
    显示于类别:[電機工程研究所] 博碩士論文

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