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    Title: 氮化鎵發光二極體製程技術之研究;Process of GaN-based Light-emitting Diode
    Authors: 陳銘勝;Ming-Sheng Chen
    Contributors: 電機工程研究所
    Keywords: 光取出效率;發光二極體;氮化鎵;n型氮化鎵歐姆接觸;GaN;LED;extraction effciency;n-type GaN ohmic contact
    Date: 2003-07-05
    Issue Date: 2009-09-22 11:54:53 (UTC+8)
    Publisher: 國立中央大學圖書館
    Abstract: 本篇論文分別針對氮化鎵發光二極體製程技術中之n型歐姆接觸電極與提升光取出效率方面進行研究分析。在n型歐姆接觸方面,製作Ti/WSix/Ti/Au歐姆接觸電極,在Ti/WSi0.05/Ti/Au (200/400/200/2000 Å)於氮氣環境下800oC、3分鐘熱處理後,可得特徵電阻值約1×10-6 Ω-cm2,不論在穩定性和反射率方面皆較傳統的鈦/鋁/鈦/金電極為佳;在提升光取出效率方面,利用表面圖樣化的方式增進氮化鎵發光二極體光取出效率,由模擬計算可知其對光取出效率有20%的提升,然而由於實驗技術未充分掌握,使得結果不如預期,若能將圖樣的製作技術加改善,必能對發光二極體的光取出效率有所助益。
    Appears in Collections:[電機工程研究所] 博碩士論文

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