氮化鎵發光二極體製程技術之研究; Process of GaN-based Light-emitting Diode

NCU Institutional Repository > 資訊電機學院 > 電機工程研究所 > 博碩士論文 > Item 987654321/9738

請使用永久網址來引用或連結此文件: http://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/9738

題名:	氮化鎵發光二極體製程技術之研究;Process of GaN-based Light-emitting Diode
作者:	陳銘勝;Ming-Sheng Chen
貢獻者:	電機工程研究所
關鍵詞:	光取出效率;發光二極體;氮化鎵;n型氮化鎵歐姆接觸;GaN;LED;extraction effciency;n-type GaN ohmic contact
日期:	2003-07-05
上傳時間:	2009-09-22 11:54:53 (UTC+8)
出版者:	國立中央大學圖書館
摘要:	本篇論文分別針對氮化鎵發光二極體製程技術中之n型歐姆接觸電極與提升光取出效率方面進行研究分析。在n型歐姆接觸方面，製作Ti/WSix/Ti/Au歐姆接觸電極，在Ti/WSi0.05/Ti/Au (200/400/200/2000 Å)於氮氣環境下800oC、3分鐘熱處理後，可得特徵電阻值約1×10-6 Ω-cm2，不論在穩定性和反射率方面皆較傳統的鈦/鋁/鈦/金電極為佳;在提升光取出效率方面，利用表面圖樣化的方式增進氮化鎵發光二極體光取出效率，由模擬計算可知其對光取出效率有20%的提升，然而由於實驗技術未充分掌握，使得結果不如預期，若能將圖樣的製作技術加改善，必能對發光二極體的光取出效率有所助益。
顯示於類別:	[電機工程研究所] 博碩士論文

文件中的檔案:

檔案	大小	格式	瀏覽次數

在NCUIR中所有的資料項目都受到原著作權保護.

社群 sharing