鄰近類別 研究計畫 [36/36] 期刊論文 [951/951] 考古題 [394/394] 類別統計 近3年內發表的文件: 396(13.75%) 含全文筆數: 2881(100.00%) 文件下載次數統計 下載大於0次: 2881(100.00%) 下載大於100次: 2338(81.15%) 檔案下載總次數: 1462864(71.39%) 最後更新時間: 2024-11-17 08:30 上傳排行 資料載入中..... 下載排行 資料載入中..... 最近上傳 探索門控圖神經網路於心理諮詢文字情感強度預測;Exploring Ga... 氮化鋁鎵 /氮化鎵高電子遷移率電晶體的 p-GaN閘極工程設計和實現;... 針對STT-MRAM記憶體內運算架構在電路老化和溫度變化的情況之下達成... 在厚緩衝層矽基板上研發不同閘汲間距的1200 V加強型氮化鎵電晶體;D... P-型氮化鎵閘極連接至源極之加強型氮化鎵 電晶體開發;E-mode A... 應用於脈動陣列深度身經網路加速器之自 我測試與修復技術;Built-I... 基於動態隨機存取記憶體之近端與內存運算記憶體測試;Testing of... 在歐姆接觸區利用石墨烯和圖案蝕刻降低氮化鎵電晶體歐姆接觸電阻;Redu... 以粒子群最佳化負載調度策略於家庭耗能之優化;Optimizing Ho... 1200 V 碳化矽金氧半場效電晶體及蕭特基二 極體反向恢復高溫特性分...

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日期	題名	作者
2024-06-25	具有周期性空缺的鋸齒狀石墨烯奈米帶的熱電效應;Thermoelectric Effects of Zigzag Graphene Nanoribbons with Periodic Vacancies.	李俊廷; Lee, Chun-Ting
2024-06-25	庫倫阻塞效應在有限長度扶手椅石墨烯奈米帶熱電特性;Effect of Colomb Blockade on Thermoelectric Properties of Finite Armchair Graphene Nanoribbons	楊翰偉; Yang, Han-Wei
2024-06-21	應用於第五代無線通訊之結合Cold-FET預失真線性化電路互補式金氧半導體堆疊式功率放大器暨25%責任週期I/Q發射機研製;Implementations on CMOS Stacked Power Amplifier with Cold-FET Predistortion Linearizer and 25% Duty Cycle I/Q Transmitter for Fifth-Generation Wireless Communication Applications	廖弘智; Liao, Hong-Zhi
2024-06-18	多核心系統的老化與瞬態錯誤感知任務部署策略：壽命延長且節能的框架;Aging and Transient Error Aware Task Deployment Strategy for Multicore Systems: A Lifetime-Extened and Energy-Efficient Framework	陳政維; Chen, Zheng-Wei
2024-06-17	用於佈線後階段電壓降優化的強化學習框架;A Reinforcement Learning Framework for IR-drop Optimization at Post Routing Stage	梁育銓; Liang, Yu-Chuan
2024-06-13	微型化三頻毫米波被動電路設計;Miniaturized Tri-band Millimeter-wave Passive Circuit Design	劉沚宜; Liu, Chih-Yi
2024-04-24	應力工程和表面能對p型氧化錫（SnO）寬能隙相穩定化的影響;Stabiliazation of Wide-band Gap Phase in p-Type Tin monoxide (SnO) by Strained Engineering and Surface Energy	李紹晨; Lee, Shao-Chen
2024-04-22	實現瞬時讀取且長耐久性(>10^12次)之三位 元鐵電場效應電晶體製程技術與可靠度分析;Development and Reliability Analysis of 3 Bits-Per-Cell Ferroelectric FETs Achieving Immediate Read-After-Write and High Endurance (>10^12 Cycles)	陳昱廷; Chen, Yu-Ting
2024-04-19	H2電漿處理之超薄IGZO種子層的低電壓 鐵電電容器以實現30ns/3V讀寫速度且高儲存密度之每單元3位元FeNAND快閃記憶體;H2 Plasma Treatment in IGZO-Based FeCAP for Enhancing Storage Capacity, Switching Speed, and Endurance/Retention	劉承瑞; Liu, Cheng-Rui
2024-03-26	以高介電常數鈍化層提高氮化鎵高電子遷移率電晶體崩潰電壓之研究;Breakdown Voltage Enhancement of GaN HEMTs Using High-k Passivation Layers	洪子鈞; Hong, Zih-Jyun

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