English  |  正體中文  |  简体中文  |  全文筆數/總筆數 : 80990/80990 (100%)
造訪人次 : 41687340      線上人數 : 1511
RC Version 7.0 © Powered By DSPACE, MIT. Enhanced by NTU Library IR team.
搜尋範圍 查詢小技巧:
  • 您可在西文檢索詞彙前後加上"雙引號",以獲取較精準的檢索結果
  • 若欲以作者姓名搜尋,建議至進階搜尋限定作者欄位,可獲得較完整資料
  • 進階搜尋

    類別瀏覽

    正在載入社群分類, 請稍候....

    年代瀏覽

    正在載入年代分類, 請稍候....

    "邱顯欽"的相關文件 

    回到依作者瀏覽

    顯示 7 項.

    類別 日期 題名 作者 檔案
    [光電科學研究中心] 研究計畫 2024-09-27 高壓氮化鎵元件研發及其在電動車的應用( I );Modeling and Reliability of High-Voltage 1700v Gan Devices( I ) 辛裕明; 劉宇晨; 綦振瀛; 郭浩中; 邱煌仁; 邱顯欽
    [光電科學研究中心] 研究計畫 2024-09-27 前瞻氮化鎵晶片與其在高效率高功率密度電源轉換器之應用( I );Advanced Gan Chips and Their Application in High Efficiency High Power Density Converters( I ) 綦振瀛; 邱顯欽; 杜長慶; 辛裕明; 夏勤劉; 宇晨楊
    [光電科學研究中心] 研究計畫 2023-07-17 高壓氮化鎵元件研發及其在電動車的應用( II );Modeling and Reliability of High-Voltage 1700v Gan Devices( II ) 辛裕明; 綦振瀛; 郭浩中; 邱顯欽; 劉宇晨; 邱煌仁
    [電機工程學系] 研究計畫 2018-12-19 適用於毫米波功率放大器之高功率氮化鋁銦/氮化鎵高電子遷移率電晶體開發;Development of High Power Alinn/Gan High Electron Mobility Transistors for Millimeter Wave Power Amplifiers 綦振瀛; 邱顯欽
    [電機工程學系] 研究計畫 2018-08-01 適用於毫米波功率放大器之高功率氮化鋁銦/氮化鎵高電子遷移率電晶體開發 ;Development of High Power Alinn/Gan High Electron Mobility Transistors for Millimeter Wave Power Amplifiers 綦振瀛; 邱顯欽
    [電機工程學系] 研究計畫 2016-08-31 適用於毫米波功率放大器之高功率氮化鋁銦/氮化鎵高電子遷移率電晶體開發;Development of High Power Alinn/Gan High Electron Mobility Transistors for Millimeter Wave Power Amplifiers 綦振瀛; 邱顯欽
    [電機工程研究所] 博碩士論文 2003-01-06 深次微米通道摻雜場效應電晶體及其在微波功率放大器之應用; Deep submicron doped-channel HFETs and its application on microwave power amplifier 邱顯欽; Hsien-Chin Chiu

    ::: Copyright National Central University. | 國立中央大學圖書館版權所有 | 收藏本站 | 設為首頁 | 最佳瀏覽畫面: 1024*768 | 建站日期:8-24-2009 :::
    DSpace Software Copyright © 2002-2004  MIT &  Hewlett-Packard  /   Enhanced by   NTU Library IR team Copyright ©   - 隱私權政策聲明