Low-frequency noise analysis of Si/SiGe channel pMOSFETs

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題名:	Low-frequency noise analysis of Si/SiGe channel pMOSFETs
作者:	Li,PW;Liao,WM
貢獻者:	電機工程研究所
關鍵詞:	MOBILITY
日期:	2002
上傳時間:	2010-07-06 18:31:52 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	Low-frequency noise characteristics of 0.1 mum Si1-xGex channel pMOSFETs were studied by numerical simulations in the framework of the carrier number fluctuation model as well as the correlated fluctuation in the mobility model. Simulation results predict
關聯:	SOLID-STATE ELECTRONICS
顯示於類別:	[電機工程研究所] 期刊論文

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