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    题名: High power In0.49Ga0.51P/In0.15Ga0.85As heterostructure doped-channel FETs
    作者: Chiu,HC;Yang,SC;Chan,YJ;Lin,HH
    贡献者: 電機工程研究所
    关键词: HIGH-EFFICIENCY;PERFORMANCE;DESIGN;HEMTS
    日期: 2001
    上传时间: 2010-07-06 18:33:51 (UTC+8)
    出版者: 中央大學
    摘要: A high barrier Schottky gate on InGaP/InGaAs doped-channel FETs (DCFETs) provides a high current density, high gate-to-drain breakdown voltage and a better linear operation over a wide gate bias range. However, these doped-channel devices are limited by a
    關聯: IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS
    显示于类别:[電機工程研究所] 期刊論文

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