中大機構典藏-NCU Institutional Repository-提供博碩士論文、考古題、期刊論文、研究計畫等下載:Item 987654321/32608
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    題名: High power In0.49Ga0.51P/In0.15Ga0.85As heterostructure doped-channel FETs
    作者: Chiu,HC;Yang,SC;Chan,YJ;Lin,HH
    貢獻者: 電機工程研究所
    關鍵詞: HIGH-EFFICIENCY;PERFORMANCE;DESIGN;HEMTS
    日期: 2001
    上傳時間: 2010-07-06 18:33:51 (UTC+8)
    出版者: 中央大學
    摘要: A high barrier Schottky gate on InGaP/InGaAs doped-channel FETs (DCFETs) provides a high current density, high gate-to-drain breakdown voltage and a better linear operation over a wide gate bias range. However, these doped-channel devices are limited by a
    關聯: IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS
    顯示於類別:[電機工程研究所] 期刊論文

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