Interdiffusion of In and Ga in InGaN/GaN multiple quantum wells

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題名:	Interdiffusion of In and Ga in InGaN/GaN multiple quantum wells
作者:	Chuo,CC;Lee,CM;Chyi,JI
貢獻者:	電機工程研究所
關鍵詞:	CONTINUOUS-WAVE OPERATION;LASER-DIODES;VACANCIES
日期:	2001
上傳時間:	2010-07-06 18:34:10 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	Thermal stability of InxGa1-xN/GaN multiple quantum wells with InN mole fraction of similar to0.23 and similar to0.30 was investigated by postgrowth thermal annealing. Low temperature photoluminescence spectroscopy was employed to determine the temperatur
關聯:	APPLIED PHYSICS LETTERS
顯示於類別:	[電機工程研究所] 期刊論文

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