Interdiffusion of In and Ga in InGaN/GaN multiple quantum wells

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题名:	Interdiffusion of In and Ga in InGaN/GaN multiple quantum wells
作者:	Chuo,CC;Lee,CM;Chyi,JI
贡献者:	電機工程研究所
关键词:	CONTINUOUS-WAVE OPERATION;LASER-DIODES;VACANCIES
日期:	2001
上传时间:	2010-07-06 18:34:10 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	Thermal stability of InxGa1-xN/GaN multiple quantum wells with InN mole fraction of similar to0.23 and similar to0.30 was investigated by postgrowth thermal annealing. Low temperature photoluminescence spectroscopy was employed to determine the temperatur
關聯:	APPLIED PHYSICS LETTERS
显示于类别:	[電機工程研究所] 期刊論文

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