Interdiffusion of In and Ga in InGaN/GaN multiple quantum wells

NCU Institutional Repository > 資訊電機學院 > 電機工程研究所 > 期刊論文 > Item 987654321/32616

請使用永久網址來引用或連結此文件: http://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/32616

題名:	Interdiffusion of In and Ga in InGaN/GaN multiple quantum wells
作者:	Chuo,CC;Lee,CM;Chyi,JI
貢獻者:	電機工程研究所
關鍵詞:	CONTINUOUS-WAVE OPERATION;LASER-DIODES;VACANCIES
日期:	2001
上傳時間:	2010-07-06 18:34:10 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	Thermal stability of InxGa1-xN/GaN multiple quantum wells with InN mole fraction of similar to0.23 and similar to0.30 was investigated by postgrowth thermal annealing. Low temperature photoluminescence spectroscopy was employed to determine the temperatur
關聯:	APPLIED PHYSICS LETTERS
顯示於類別:	[電機工程研究所] 期刊論文

文件中的檔案:

檔案	描述	大小	格式	瀏覽次數
index.html		0Kb	HTML	556	檢視/開啟

在NCUIR中所有的資料項目都受到原著作權保護.

社群 sharing