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    題名: THE BRANCH-CUT METHOD AND ITS APPLICATION TO PARTIALLY DEPLETED SOI MOSFET SIMULATION FOR KINK EFFECT DEFINITION
    作者: Ho,Chi-Hon;Pon,Jun-Yi;Tsai,Yao-Tsung
    貢獻者: 電機工程研究所
    關鍵詞: SEMICONDUCTOR-DEVICE SIMULATION;INCOMPLETE LU METHOD;TRANSISTORS;BREAKDOWN
    日期: 2008
    上傳時間: 2010-07-06 18:14:15 (UTC+8)
    出版者: 中央大學
    摘要: In the partially depleted (PD) SOI NMOSFET device, the floating body effect emerges due to the accumulation of excess holes in the neutral Substrate region. The floating, body effect Will cause the Current curve of kink effect ill the saturation region. I
    關聯: JOURNAL OF THE CHINESE INSTITUTE OF ENGINEERS
    顯示於類別:[電機工程研究所] 期刊論文

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