Liquid phase deposited SiO2 on GaN

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题名:	Liquid phase deposited SiO2 on GaN
作者:	Wu,HR;Lee,KW;Nian,TB;Chou,DW;Wu,JJH;Wang,YH;Houng,MP;Sze,PW;Su,YK;Chang,SJ;Ho,CH;Chiang,CI;Chern,YT;Juang,FS;Wen,TC;Lee,WI;Chyi,JI
贡献者:	電機工程研究所
关键词:	N-TYPE GAN;GALLIUM-ARSENIDE;SILICON DIOXIDE;PERFORMANCE;SIO2-FILMS;MESFETS
日期:	2003
上传时间:	2010-07-06 18:29:38 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	An efficient and low cost approach to deposit uniform silicon dioxide layers on GaN by liquid phase deposition (LPD) near room temperature are described and discussed. The process is simple. GaN wafers are immersed into a H2SiF6 and H3BO3 solution to form
關聯:	MATERIALS CHEMISTRY AND PHYSICS
显示于类别:	[電機工程研究所] 期刊論文

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