Liquid phase deposited SiO2 on GaN

NCU Institutional Repository > 資訊電機學院 > 電機工程研究所 > 期刊論文 > Item 987654321/32492

jsp.display-item.identifier=請使用永久網址來引用或連結此文件: http://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/32492

题名:	Liquid phase deposited SiO2 on GaN
作者:	Wu,HR;Lee,KW;Nian,TB;Chou,DW;Wu,JJH;Wang,YH;Houng,MP;Sze,PW;Su,YK;Chang,SJ;Ho,CH;Chiang,CI;Chern,YT;Juang,FS;Wen,TC;Lee,WI;Chyi,JI
贡献者:	電機工程研究所
关键词:	N-TYPE GAN;GALLIUM-ARSENIDE;SILICON DIOXIDE;PERFORMANCE;SIO2-FILMS;MESFETS
日期:	2003
上传时间:	2010-07-06 18:29:38 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	An efficient and low cost approach to deposit uniform silicon dioxide layers on GaN by liquid phase deposition (LPD) near room temperature are described and discussed. The process is simple. GaN wafers are immersed into a H2SiF6 and H3BO3 solution to form
關聯:	MATERIALS CHEMISTRY AND PHYSICS
显示于类别:	[電機工程研究所] 期刊論文

文件中的档案:

档案	描述	大小	格式	浏览次数
index.html		0Kb	HTML	471	检视/开启

在NCUIR中所有的数据项都受到原著作权保护.

社群 sharing