本論文之研究重點，在於發展可應用於矽基材單電子電晶體之量子點(線)的研製。有鑑於其他相關研究單位所發展的量子點製程，大都未考量製程中的穩定性、再現性、成本考量以及與現今半導體製程的相容性；故本論文將重點放在可相容於目前傳統的LSI製程，以及盡量提高製程的穩定性與再現性，並且降低製程的成本，發展出數種在傳統矽基材下可行的量子點(線)製作方式。 In this thesis, the technique of forming Si & Ge quantum dots for Single-electron devices will be proposed. The advantages of the technique are well controllable, reproducible and compatible with traditional CMOS process.
