鄰近類別 研究計畫 [36/36] 期刊論文 [951/951] 考古題 [397/397] 類別統計 近3年內發表的文件: 391(12.94%) 含全文筆數: 3021(100.00%) 文件下載次數統計 下載大於0次: 3005(99.47%) 下載大於100次: 2758(91.29%) 檔案下載總次數: 1693295(71.99%) 最後更新時間: 2025-10-24 23:19 上傳排行 資料載入中..... 下載排行 資料載入中..... 最近上傳 無感測器永磁同步馬達之 I-F 啟動與 ASMO-FOC 無縫切換控制... 石墨烯奈米帶之電子熱整流探討:石墨烯異質結構拓樸態的傳輸應用;Inve... 基於40nm 65kb 1T1R 多阻態電阻式記憶 體的真亂數產生器 ... 具有高可靠度之通道擊穿型28nm 2kb 雙電晶體單次編程記憶體晶片;... 電網失真不平衡下相位偵測標么化延遲信號消除鎖相迴路之研製;Develo... 基於虛擬磁通無電流感測直接功率控制不平衡電網下三相維也納整流器系統之研... 基於SRAM的記憶體內運算之測試;Testing of SRAM-ba... 基於SRAM之Systolic計算式記憶體架構與設計自動化;Systo... 使用120-nm GaN HEMT 與 100-nm GaAs pHE... 使用 120-nm GaN HEMT 與 100-nm GaAs pH...

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日期	題名	作者
2025-01-14	應用於第五代無線通訊與X頻段之互補式金氧半導體功率放大器設計暨FR3頻段之改良型帶內全雙工電平衡雙工器之研製;Design and Implementation of CMOS Power Amplifiers for 5G Wireless Communication and X-Band Applications and an Improved In-Band Full-Duplex Balanced Duplexer for the FR3 Band	莊智皓; Chih-Hao-Chuang
2025-01-06	探討記憶體裝置中老化效應對深度神經網路預測準確性之影響：分析策略與解決方法;Exploring the Impact of Aging Effects in Memory Devices on Deep Neural Networks: Analysis and Solutions	蔡瑩靜; Tsai, Ying-Jing
2024-12-25	差速驅動輪式移動機器人輕量化設計與運動軌跡精確追蹤控制;Differential Drive Wheeled Mobile Robot Lightweight Design and Precise Tracking Control of Motion Trajectory	周娟安; Chou, Chuan-An
2024-12-17	可程式化寬頻分數型頻率合成器模組與毫米波多容值共振並聯二極體切換器之研製;Design of Programmable Wideband Fractional Synthesizer Module and Millimeter-Wave Multi-Capacitance Resonance Shunt-Diode Switches	陳羿夫; Chen, Yi-Fu
2024-12-03	透過氫電漿處理提升 FeFET 之耐久性、儲 存密度與讀取速度並改善 FeCAM 設計中的 穩定性與漢明距離;Enhancing FeFET Endurance、Storage Density、Read Speed through H2 Plasma Treatment, and Improving Stability and Hamming Distance in FeCAM Designs	黃子容; Huang, Zi-Rong
2024-12-03	微型化雙頻平衡式微波被動電路設計;Miniaturized Dual-Band Balanced Microwave Passive Circuit Design	張威銍; Chang, Wei-Chih
2024-11-28	利用混響室進行單天線效率與輻射發射量量測實驗:與模擬軟體及不同電磁環境比較;Measurement of Single Antenna Efficiency and Radiated Emission in a Reverberation Chamber: Comparison with Simulation Software and Different Electromagnetic Environments	李彥霆; Lee, Yan-Ting
2024-11-27	可實現 2.3V大記憶視窗（每單元3位元）、可立即讀取並具有????^??次寫入之鐵電電晶體及其在機器學習之高精確度研究;Ferroelectric Transistor with a 2.3V Large Memory Window (3 bits per cell), Instant Readout, and 10˙ Write Cycles, and Its High Accuracy in Machine Learning Research	白家碩; Pai, Chia-Shuo
2024-11-26	基於氮化鍺碲碳非砷化物選擇器的高熱穩定性、低電壓變異性及高循環耐久性 (>10¹¹) 的物理分析;The Physical Analysis of High Thermal Stability, Low Voltage Variability, and High Endurance (>10¹¹) Based on a Germanium Tellurium Carbon Nitride Non-Arsenide Selector	吳湧峰; Wu, Yung-Feng
2024-11-26	實現全後段製程相容性、基於IGZO雙電晶體及鐵電電容器之非揮發性記憶體;Enabling Fully Back-End-of-Line Compatible in IGZO Based Two Transistor One Ferroelectric Capacitor (2T1F) Non-Volatile Memory	蔡堉秭; Tsai, Yu-Tzu

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