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[電機工程研究所] 期刊論文
1994
BAND OFFSETS OF IN0.30GA0.70AS/IN0.29AL0.71AS HETEROJUNCTION GROWN ON GAAS SUBSTRATE
SHIEH,JL
;
CHYI,JI
;
LIN,RJ
;
LIN,RM
;
PAN,JW
[電機工程研究所] 期刊論文
1994
CHARACTERISTICS OF IN0.3GA0.7AS/IN0.29AL0.71AS HETEROSTRUCTURES GROWN ON GAAS USING INALAS BUFFERS
CHYI,JI
;
SHIEH,JL
;
WU,CS
;
LIN,RM
;
PAN,JW
;
CHAN,YJ
;
LIN,CH
[電機工程研究所] 期刊論文
1994
CHARACTERISTICS OF PSEUDOMORPHIC ALGAAS INXGA1-XAS (0-LESS-THAN-OR-EQUAL-TO-X-LESS-THAN-OR-EQUAL-TO-0.25) DOPED-CHANNEL FIELD-EFFECT TRANSISTORS
YANG,MT
;
CHAN,YJ
;
CHEN,CH
;
CHYI,JI
;
LIN,RM
;
SHIEH,JL
[光電科學與工程學系] 期刊論文
2010
InGaN gallium nitride light-emitting diodes with reflective electrode pads and textured gallium-doped ZnO contact layer
Tu,SH
;
Lan,CJ
;
Wang,SH
;
Lee,ML
;
Chang,KH
;
Lin,RM
;
Chang,JY
;
Sheu,JK
[電機工程研究所] 期刊論文
1996
Material properties of compositional graded InxGa1-xAs and InxAl1-xAs epilayers grown on GaAs substrates
Chyi,JI
;
Shieh,JL
;
Pan,JW
;
Lin,RM
[電機工程研究所] 期刊論文
1994
MOLECULAR-BEAM EPITAXIAL-GROWTH OF INXAL1-XAS ON GAAS
CHYI,JI
;
SHIEH,JL
;
LIN,RM
;
NEE,TE
;
PAN,JW
[電機工程研究所] 期刊論文
1995
SCHOTTKY-BARRIER HEIGHTS OF INXAL1-XAS (0-LESS-THAN-OR-EQUAL-TO-X-LESS-THAN-OR-EQUAL-TO-0.35) EPILAYERS ON GAAS
CHYI,JI
;
SHIEH,JL
;
LIN,RJ
;
PAN,JW
;
LIN,RM
[電機工程研究所] 期刊論文
1996
Strain relaxation and crystallographic tilt of compositional graded InxGa1-xAs and InxAl1-xAs (0<x<0.3) epilayers grown on GaAs substrates
Shieh,JL
;
Chyi,JI
;
Pan,JW
;
Lin,RM
[電機工程研究所] 期刊論文
1994
THERMAL-STABILITY OF STRAINED ALGAAS/INXGA1-XAS (0.15-LESS-THAN-OR-EQUAL-TO-X-LESS-THAN-OR-EQUAL-TO-0.25) DOPED-CHANNEL STRUCTURES
YANG,MT
;
LIN,RM
;
CHAN,YJ
;
SHIEH,JL
;
CHYI,JI
[光電科學與工程學系] 期刊論文
2002
Thickness-dependent renormalization of strain effects on self-organized InAs quantum dots grown on GaAs
Lin,RM
;
Nee,TE
;
Tsai,MC
;
Chang,YH
;
Fan,PL
;
Chang,RS
[電機工程研究所] 期刊論文
1994
UNSTRAINED IN0.3GA0.7AS/IN0.29AL0.71AS RESONANT-TUNNELING DIODES GROWN ON GAAS
HWANG,HP
;
SHIEH,JL
;
LIN,RM
;
CHYI,JI
;
TU,SL
;
PENG,CK
;
YANG,SJ
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