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[光電科學研究中心] 期刊論文
2002
Dependence of optical gain on direction of optically pumped cavity on (0001)-plane for InGaN/GaN multiple quantum well structure
Chen,CC
;
Hsieh,KL
;
Sheu,JK
;
Chi,GC
;
Jou,MJ
;
Lee,CH
;
Lin,MZ
[光電科學研究中心] 期刊論文
2001
Characterization of the properties of Mg-doped Al0.15Ga0.85N/GaN superlattices
Sheu,JK
;
Kuo,CH
;
Chen,CC
;
Chi,GC
;
Jou,MJ
[光電科學研究中心] 期刊論文
2001
Enhanced output power in an InGaN-GaN multiquantum-well light-emitting diode with an InGaN current-spreading layer
Sheu,JK
;
Chi,GC
;
Jou,MJ
[光電科學研究中心] 期刊論文
2001
Low-operation voltage of InGaN/GaN light-emitting diodes by using a Mg-doped Al0.15Ga0.85N/GaN superlattice
Sheu,JK
;
Chi,GC
;
Jou,MJ
[物理研究所] 期刊論文
2001
Crystal orientation dependence of optical gain in InGaN/GaN multiple-quantum-well structures
Chen,CC
;
Hsieh,KL
;
Sheu,JK
;
Chi,GC
;
Jou,MJ
;
Lee,CH
;
Lin,MZ
[物理研究所] 期刊論文
2000
Investigation of the mechanism for Ti/Al ohmic contact on etched n-GaN surfaces
Sheu,JK
;
Su,YK
;
Chi,GC
;
Jou,MJ
;
Liu,CC
;
Chang,CM
;
Hung,WC
;
Bow,JS
;
Yu,YC
[物理研究所] 期刊論文
2000
Luminescence of an InGaN/GaN multiple quantum well light-emitting diode
Sheu,JK
;
Chi,GC
;
Su,YK
;
Liu,CC
;
Chang,CM
;
Hung,WC
;
Jou,MJ
[物理研究所] 期刊論文
1999
High-transparency Ni/Au ohmic contact to p-type GaN
Sheu,JK
;
Su,YK
;
Chi,GC
;
Koh,PL
;
Jou,MJ
;
Chang,CM
;
Liu,CC
;
Hung,WC
[物理研究所] 期刊論文
1999
Indium tin oxide ohmic contact to highly doped n-GaN
Sheu,JK
;
Su,YK
;
Chi,GC
;
Jou,MJ
;
Liu,CC
;
Chang,CM
[物理研究所] 期刊論文
1999
Inductively coupled plasma etching of GaN using Cl-2/Ar and Cl-2/N-2 gases
Sheu,JK
;
Su,YK
;
Chi,GC
;
Jou,MJ
;
Liu,CC
;
Chang,CM
;
Hung,WC
[物理研究所] 期刊論文
1998
Effects of thermal annealing on the indium tin oxide Schottky contacts of n-GaN
Sheu,JK
;
Su,YK
;
Chi,GC
;
Jou,MJ
;
Chang,CM
[物理研究所] 期刊論文
1998
Investigation of wafer-bonded (AlxGa1-x)(0.5)In0.5P/GaP light-emitting diodes
Sheu,JK
;
Su,YK
;
Chang,SJ
;
Jou,MJ
;
Liu,CC
;
Chi,GC
[數學研究所] 期刊論文
1996
A finiteness theorem for maximal independent sets
Jou,MJ
;
Chang,GJ
;
Lin,C
;
Ma,TH
[物理研究所] 期刊論文
1996
AlGaInP/GaP light-emitting diodes fabricated by wafer direct bonding technology
Chang,SJ
;
Sheu,JK
;
Su,YK
;
Jou,MJ
;
Chi,GC
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