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[電機工程研究所] 期刊論文
1993
ENHANCEMENT AND DEPLETION-MODE ALGAAS/IN0.15GA0.85AS HEMTS FABRICATED BY SELECTIVE ION-IMPLANTATION
CHAN,YJ
;
YANG,MT
[電機工程研究所] 期刊論文
1994
THERMAL-STABILITY OF STRAINED ALGAAS/INXGA1-XAS (0.15-LESS-THAN-OR-EQUAL-TO-X-LESS-THAN-OR-EQUAL-TO-0.25) DOPED-CHANNEL STRUCTURES
YANG,MT
;
LIN,RM
;
CHAN,YJ
;
SHIEH,JL
;
CHYI,JI
[電機工程研究所] 期刊論文
1994
HIGH UNIFORMITY OF AL0.3GA0.7AS/IN0.15GA0.85AS DOPED-CHANNEL STRUCTURES GROWN BY MOLECULAR-BEAM EPITAXY ON 3'' GAAS SUBSTRATES
CHAN,YJ
;
YANG,MT
;
YEH,TJ
;
CHYI,JI
[電機工程研究所] 期刊論文
1994
CHARACTERISTICS OF PSEUDOMORPHIC ALGAAS INXGA1-XAS (0-LESS-THAN-OR-EQUAL-TO-X-LESS-THAN-OR-EQUAL-TO-0.25) DOPED-CHANNEL FIELD-EFFECT TRANSISTORS
YANG,MT
;
CHAN,YJ
;
CHEN,CH
;
CHYI,JI
;
LIN,RM
;
SHIEH,JL
[電機工程研究所] 期刊論文
1995
DEVICE LINEARITY IMPROVEMENT BY AL0.3GA0.7AS/IN0.2GA0.8AS HETEROSTRUCTURE DOPED-CHANNEL FETS
CHAN,YJ
;
YANG,MT
[電機工程研究所] 期刊論文
1995
AL0.3GA0.7AS/INXGA1-XAS (0-LESS-THAN-OR-EQUAL-TO-X-LESS-THAN-OR-EQUAL-TO-0.25) DOPED-CHANNEL FIELD-EFFECT TRANSISTORS (DCFETS)
CHAN,YJ
;
YANG,MT
[電機工程研究所] 期刊論文
1996
The reduction of impact ionization and improvement of device reliability in heterostructure doped-channel FETs
Yang,MT
;
Chan,YJ
;
Chang,M
[電機工程研究所] 期刊論文
1996
Enhanced device performance by unstrained In0.3Ga0.7As/In0.29Al0.71As doped-channel FET on GaAs substrates
Yang,MT
;
Chan,YJ
;
Shieh,JL
;
Chyi,JI
[電機工程研究所] 期刊論文
1996
Device linearity comparisons between doped-channel and modulation-doped designs in pseudomorphic Al0.3Ga0.7As/In(0.2)Gao(0.8)As heterostructures
Yang,MT
;
Chan,YJ
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