鄰近類別 研究計畫 [36/36] 期刊論文 [951/951] 考古題 [397/397] 類別統計 近3年內發表的文件: 297(10.15%) 含全文筆數: 2927(100.00%) 文件下載次數統計 下載大於0次: 2927(100.00%) 下載大於100次: 2520(86.09%) 檔案下載總次數: 1558261(71.37%) 最後更新時間: 2025-04-26 13:34 上傳排行 資料載入中..... 下載排行 資料載入中..... 最近上傳 可實現 2.3V大記憶視窗（每單元3位元）、可立即讀取並具有????^... 透過氫電漿處理提升 FeFET 之耐久性、儲 存密度與讀取速度並改善 ... 應用於光耦合隔離系統之發送端三角積分調變器;A Design of S... 電感耦合隔離系統接收端設計與實作;Design and Impleme... 應用於光耦合隔離系統發送端之動態縮放式 類比數位轉換器;A Desig... 應用深度學習模型偵測動作前腦波訊號 於虛擬環境中之即時人物控制;Rea... 氮化硼介導III族氮化物和 B(Al,Ga)N 異質結構的磊晶成長;B... 基於橋式T線圈 之微型化三頻微波被動電路設計;Design of mi... 結合眼動事件與腦電波於學員解題歷程下之腦波律動分析;Analysis ... 以時間多工進行的砷化銦鎵/砷化銦鋁單光子雪崩二極體實現光子數解析;In...

跳至: (選擇年份) 2025 2024 2023 2022 2021 2020 2019 2018 2017 2016 2015 2014 2013 2012 2011 2010 2009 2008 2007 2006 2005 2004 2003 2002 2001 2000 1999 1998 1997 1996 1995 1994 1993 1992 1991 1990 1985 1980 1975 1970 1960 1950 (選擇月份) January February March April May June July August September October November December 或輸入年份:

由新到舊排序 由最舊的開始

顯示項目41-50 / 2927. (共293頁) << < 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 > >> 每頁顯示[10|25|50]項目

日期	題名	作者
2024-11-14	高熱穩定性、長效耐久性 (>1011次 )且具瞬時讀取之多功能閘極 (TiN/Mo/TiOxNy/SL-HZO)層狀堆疊鐵電記憶體技術開發;Development of ferroelectric memory technology with high thermal stability, long endurance (>1011 cycles), and immediate readout with a multifunctional gate (TiN/Mo/TiOxNy/SL-HZO)	陳政凱; Chen, Zheng-Kai
2024-11-12	應用於X頻段互補式金氧半導體F類壓控振器與使用動態體偏壓技術B/C類混合式壓控振盪器暨整數型鎖相迴路之研製;Design and Implementation of CMOS X-Band Class-F Voltage-Controlled Oscillator, Dynamic Body Biasing Technique for Class-B/C Hybrid-Mode Voltage-Controlled Oscillator, and Integer-N Phase-Locked Loop	邱恩芸; Qiu, En-Yun
2024-11-11	適用於多步幅卷積神經網路之比特級稀疏性感知壓縮情境及加速器架構設計;Bit-Level Sparsity-Aware Compression and Accelerator Architecture Design for Multi-Stride Convolutional Neural Networks	黃筠茵; Huang, Yun-Yin
2024-10-22	具自適應且多階資料獨立相位追蹤補償技術之 5 Gbps 半速率時脈與資料回復電路;A 5 Gbps Half-Rate Clock and Data Recovery with Adaptive Multi-level Data Independent Phase Tracking Compensation Technique	蘇姿羽; Su, Tzu-Yu
2024-10-22	應用於FR3頻段互補式金氧半導體堆疊式功率放大器暨使用開關鍵控調變器之發射機與連續F類氮化鎵功率放大器研製;Design and Implementation of CMOS Stacked Power Amplifier, On-Off Keying Modulation Transmitter, and Continuous Class-F GaN Power Amplifier for FR3 Band Applications	蔡舜羽; Tsai, Shun-Yu
2024-10-14	整合雙向氮化鎵閘極二極體之650 V加強型氮化鎵電晶體;650V E-Mode GaN Transistor Integrated with Bidirectional GaN Gate Diodes	蔡碩宸; Tsai, Shuo-Chen
2024-09-25	氮化鋁鎵 /氮化鎵高電子遷移率電晶體的 p-GaN閘極工程設計和實現;Gate Engineering in E-Mode p-GaN Gate AlGaN/GaN HEMTs	Sriramadasu, Krishna Sai; Sriramadasu, Krishna Sai
2024-09-20	針對STT-MRAM記憶體內運算架構在電路老化和溫度變化的情況之下達成延長使用壽命的目標;Empowering Longevity: A Resilient STT-MRAM Computing-In-Memory Architecture Tackling Circuit Aging and Temperature Variations	林宜霆; Lin, Yi-Ting
2024-08-22	P-型氮化鎵閘極連接至源極之加強型氮化鎵 電晶體開發;E-mode AlGaN/GaN HEMTs with p-type GaN gate connected to source	曾顗澄; Tseng, Yi-Cheng
2024-08-22	在厚緩衝層矽基板上研發不同閘汲間距的1200 V加強型氮化鎵電晶體;Development of 1200 V E-mode AlGaN/GaN HEMTs on Si substrate with thick buffer layer	王怡雯; Wang, Yi-Wen

顯示項目41-50 / 2927. (共293頁) << < 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 > >> 每頁顯示[10|25|50]項目