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[電機工程研究所] 期刊論文
1994
BAND OFFSETS OF IN0.30GA0.70AS/IN0.29AL0.71AS HETEROJUNCTION GROWN ON GAAS SUBSTRATE
SHIEH,JL
;
CHYI,JI
;
LIN,RJ
;
LIN,RM
;
PAN,JW
[電機工程研究所] 期刊論文
1994
CHARACTERISTICS OF IN0.3GA0.7AS/IN0.29AL0.71AS HETEROSTRUCTURES GROWN ON GAAS USING INALAS BUFFERS
CHYI,JI
;
SHIEH,JL
;
WU,CS
;
LIN,RM
;
PAN,JW
;
CHAN,YJ
;
LIN,CH
[電機工程研究所] 期刊論文
1994
CHARACTERISTICS OF PSEUDOMORPHIC ALGAAS INXGA1-XAS (0-LESS-THAN-OR-EQUAL-TO-X-LESS-THAN-OR-EQUAL-TO-0.25) DOPED-CHANNEL FIELD-EFFECT TRANSISTORS
YANG,MT
;
CHAN,YJ
;
CHEN,CH
;
CHYI,JI
;
LIN,RM
;
SHIEH,JL
[電機工程研究所] 期刊論文
1994
MOLECULAR-BEAM EPITAXIAL-GROWTH OF INXAL1-XAS ON GAAS
CHYI,JI
;
SHIEH,JL
;
LIN,RM
;
NEE,TE
;
PAN,JW
[電機工程研究所] 期刊論文
1994
THERMAL-STABILITY OF STRAINED ALGAAS/INXGA1-XAS (0.15-LESS-THAN-OR-EQUAL-TO-X-LESS-THAN-OR-EQUAL-TO-0.25) DOPED-CHANNEL STRUCTURES
YANG,MT
;
LIN,RM
;
CHAN,YJ
;
SHIEH,JL
;
CHYI,JI
[電機工程研究所] 期刊論文
1994
UNSTRAINED IN0.3GA0.7AS/IN0.29AL0.71AS RESONANT-TUNNELING DIODES GROWN ON GAAS
HWANG,HP
;
SHIEH,JL
;
LIN,RM
;
CHYI,JI
;
TU,SL
;
PENG,CK
;
YANG,SJ
[電機工程研究所] 期刊論文
1995
LOW-THRESHOLD INALGAAS/ALGAAS STRAINED-QUANTUM-WELL LASERS GROWN BY MOLECULAR-BEAM EPITAXY
CHYI,JI
;
GAU,JH
;
SHIEH,JL
;
PAN,JW
;
CHAN,YJ
;
HONG,JW
;
HUANG,MF
[電機工程研究所] 期刊論文
1995
SCHOTTKY-BARRIER HEIGHTS OF INXAL1-XAS (0-LESS-THAN-OR-EQUAL-TO-X-LESS-THAN-OR-EQUAL-TO-0.35) EPILAYERS ON GAAS
CHYI,JI
;
SHIEH,JL
;
LIN,RJ
;
PAN,JW
;
LIN,RM
[電機工程研究所] 期刊論文
1995
STUDY OF THE OPTICAL-PROPERTIES OF IN-0.52(ALXGA1-X)(0.48)AS BY VARIABLE-ANGLE SPECTROSCOPIC ELLIPSOMETRY
PAN,JW
;
SHIEH,JL
;
GAU,JH
;
CHYI,JI
;
LEE,JC
;
LING,KJ
[電機工程研究所] 期刊論文
1996
Characteristics of multistack multiquantum barrier and its application to graded-index separate confinement heterostructure lasers
Chyi,JI
;
Wang,SK
;
Gau,JH
;
Shieh,JL
;
Pan,JW
[電機工程研究所] 期刊論文
1996
DC and microwave characteristics of In-0.3(AlxGa1-x)(0.7)As/In0.3Ga0.7As heterojunction bipolar transistors grown on GaAs
Hwang,HP
;
Shieh,JL
;
Pan,JW
;
Chou,CC
;
Chyi,JI
[電機工程研究所] 期刊論文
1996
Enhanced carrier and optical confinement of quantum well lasers with graded multi-quantum barriers
Chyi,JI
;
Gau,JH
;
Wang,SK
;
Shieh,JL
;
Pan,JW
[電機工程研究所] 期刊論文
1996
Enhanced device performance by unstrained In0.3Ga0.7As/In0.29Al0.71As doped-channel FET on GaAs substrates
Yang,MT
;
Chan,YJ
;
Shieh,JL
;
Chyi,JI
[電機工程研究所] 期刊論文
1996
GaAs-based In0.29Al0.71As/In0.3Ga0.7 as high-electron mobility transistors
Chan,YJ
;
Wu,CS
;
Chyi,JI
;
Shieh,JL
[電機工程研究所] 期刊論文
1996
High-speed GaAs metal-semiconductor-metal photodetectors with recessed metal electrodes
Yuang,RH
;
Chien,YJ
;
Shieh,JL
;
Chyi,JI
[電機工程研究所] 期刊論文
1996
In-0.52(AlxGa1-x)(0.48)As/In0.53Ga0.47As(0<=x<=1) heterostructure and its application on HEMTs
Wu,CS
;
Chan,YJ
;
Chen,CH
;
Shieh,JL
;
Chyi,JL
[電機工程研究所] 期刊論文
1996
Material properties of compositional graded InxGa1-xAs and InxAl1-xAs epilayers grown on GaAs substrates
Chyi,JI
;
Shieh,JL
;
Pan,JW
;
Lin,RM
[電機工程研究所] 期刊論文
1996
Reduction of hole transit time in GaAs MSM photodetectors by p-type delta-doping
Chyi,JI
;
Chien,YJ
;
Yuang,RH
;
Shieh,JL
;
Pan,JW
;
Chen,JS
[電機工程研究所] 期刊論文
1996
Strain relaxation and crystallographic tilt of compositional graded InxGa1-xAs and InxAl1-xAs (0<x<0.3) epilayers grown on GaAs substrates
Shieh,JL
;
Chyi,JI
;
Pan,JW
;
Lin,RM
[電機工程研究所] 期刊論文
1997
Characteristics of a In-0.52(AlxGa1-x)(0.48)As/In0.53Ga0.47As(0<=x<=1) heterojunction and its application on HEMT's
Chan,YJ
;
Wu,CS
;
Chen,CH
;
Shieh,JL
;
Chyi,JI
[電機工程研究所] 期刊論文
1997
Defect study on the strain-relaxed InxAl1-xAs epilayers (x<0.4) grown on GaAs
Shieh,JL
;
Chang,MN
;
Cheng,YS
;
Chyi,JI
[電機工程研究所] 期刊論文
1997
Defects in metamorphic InxAl1-xAs (x<0.4) epilayers grown on GaAs substrates
Shieh,JL
;
Chang,MN
;
Cheng,YS
;
Chyi,JI
[電機工程研究所] 期刊論文
1997
GaAs metal-semiconductor-metal photodetectors with recessed cathodes and/or anodes
Yuang,RH
;
Shieh,JL
;
Chyi,JI
;
Chen,JS
[電機工程研究所] 期刊論文
1997
High thermal conductive passivation films on AlGaAs/GaAs heterojunction diodes and bipolar transistors
Hwang,HP
;
Cheng,YS
;
Shieh,JL
;
Pan,JW
;
Chyi,JI
[電機工程研究所] 期刊論文
1997
Overall performance improvement in GaAs MSM photodetectors by using recessed-cathode structure
Yuang,RH
;
Shieh,JL
;
Chyi,JI
;
Chen,JS
[電機工程研究所] 期刊論文
2001
A comparative study of the passivation films on AlGaAs/GaAs heterojunction diodes and bipolar transistors
Hwang,HP
;
Cheng,YS
;
Shieh,JL
;
Chyi,JI
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