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    类别 日期 题名 作者 档案
    [光電科學與工程學系] 期刊論文 2008 AlGaN/GaN Schottky barrier diodes with multi-MgxNy/GaN buffer Lee,K. H.; Chang,S. J.; Chang,P. C.; Wang,Y. C.; Kuo,C. H.
    [光電科學與工程學系] 期刊論文 2008 GaN-Based Schottky Barrier Photodetectors With a 12-Pair MgxNy-GaN Buffer Layer Chang,S. J.; Lee,K. H.; Chang,P. C.; Wang,Y. C.; Yu,C. L.; Kuo,C. H.; Wu,S. L.
    [光電科學與工程學系] 期刊論文 2008 High quality GaN-based Schottky barrier diodes Lee,K. H.; Chang,S. J.; Chang,P. C.; Wang,Y. C.; Kuo,C. H.
    [光電科學與工程學系] 期刊論文 2008 Low operation voltage of nitride-based LEDs with Al-doped ZnO transparent contact layer Kuo,C. H.; Yeh,C. L.; Chen,P. H.; Lai,W. C.; Tun,C. J.; Sheu,J. K.; Chi,G. C.
    [光電科學與工程學系] 期刊論文 2007 Enhanced efficiency of GaN-based light-emitting diodes with periodic textured Ga-doped ZnO transparent contact layer Sheu,Jinn-Kong; Lu,Y. S.; Lee,Min-Lum; Lai,W. C.; Kuo,C. H.; Tun,Chun-Ju
    [光電科學與工程學系] 期刊論文 2007 GaN-based Indium-tin-oxide light emitting diodes with nanostructured silicon upper contacts Kuo,C. H.; Chang,S. J.; Kuan,H.
    [光電科學與工程學系] 期刊論文 2007 Nitride-based near-ultraviolet light emitting diodes with meshed p-GaN Kuo,C. H.; Feng,H. C.; Kuo,C. W.; Chen,C. M.; Wu,L. W.; Chi,G. C.
    [光電科學與工程學系] 期刊論文 2007 Nitride-based near-ultraviolet mesh MQW light-emitting diodes Kuo,C. H.; Feng,H. C.
    [光電科學與工程學系] 期刊論文 2006 Improvement of near-ultraviolet nitride-based light emitting diodes with mesh indium tin oxide contact layers Kuo,C. H.; Chen,C. M.; Kuo,C. W.; Tun,C. J.; Pan,C. J.; Pong,B. J.; Chi,G. C.
    [光電科學與工程學系] 期刊論文 2006 Nitride-based light-emitting diodes with p-AlInGaN surface layers prepared at various temperatures Kuo,C. H.; Kuo,C. W.; Chen,C. M.; Pong,B. J.; Chi,G. C.
    [光電科學研究中心] 期刊論文 2008 Residual strain in ZnO nanowires grown by catalyst-free chemical vapor deposition on GaN/sapphire (0001) Tsao,F. C.; Chen,J. Y.; Kuo,C. H.; Chi,G. C.; Pan,C. J.; Huang,P. J.; Tun,C. J.; Pong,B. J.; Hsueh,T. H.; Chang,C. Y.; Pearton,S. J.; Ren,F.
    [光電科學研究中心] 期刊論文 2008 Self-assembled InN dots grown on GaN with an In0.08Ga0.92N intermediate layer by metal organic chemical vapor deposition Fu,Y. K.; Kuo,C. H.; Tun,C. J.; Kuo,C. W.; Lai,W. C.; Chi,G. C.; Pan,C. J.; Chen,M. C.; Hong,H. F.; Lan,S. M.
    [光電科學研究中心] 期刊論文 2007 Dislocation reduction in GaN with multiple MgxNy/GaN buffer layers by metal organic chemical vapor deposition Tun,C. J.; Kuo,C. H.; Fu,Y. K.; Kuo,C. W.; Pan,C. J.; Chi,G. C.

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